セッション詳細

[18a-C42-1~13]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年9月18日(水) 9:00 〜 12:30
C42 (ホテル日航新潟 4F)
新田 州吾(名大)、 市川 修平(阪大)

[18a-C42-1]全組成域InGaNのRF-MBE成長と熱電特性評価

〇服部 翔太1、荒木 努1、出浦 桃子2 (1.立命館大理工、2.R-GIRO)
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[18a-C42-2]InxGa1-xN混晶組成の制御性向上のための単純なMOVPE成長モデルの構築

〇井村 将隆1、廣戸 孝信1、間野 高明1、糸数 雄吏2、定 昌史2 (1.NIMS、2.RIKEN)
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[18a-C42-3]MOVPEによるGaInN混晶薄膜成長におけるHeキャリアガスの効果

〇(M1)新井 雄稀1,2、齋藤 太助1,2、尾沼 猛儀2、山口 智広2、本田 徹2、角谷 正友1 (1.物材機構、2.工学院大)
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[18a-C42-4]光熱偏向分光法によるGaN/GaInN量子井戸構造の評価

〇(M2)齋藤 太助1,2、新井 雄稀1,2、尾沼 猛儀2、山口 智広2、本田 徹2、角谷 正友1 (1.物材機構、2.工学院大)
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[18a-C42-5]窒化物四元混晶AlGaInNのMOVPE成長におけるInNモル分率の制御

〇山田 悠斗1、隈部 岳瑠1、渡邉 浩崇2、新田 州吾2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)
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[18a-C42-6]GaN基板上高InNモル分率GaInN量子井戸の成長圧力

〇(M2)野津 浩太朗1、柴原 直暉1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1、野中 健太朗2、倉岡 義孝2、吉野 隆史2 (1.名城大理工、2.日本ガイシ)
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[18a-C42-7]GaInN量子井戸のPL強度におけるAlInN下地層とGaInN量子井戸との距離依存性

〇西川 大智1、荒川 将輝1、柳川 光樹1、柴原 直暉1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1、野中 健太朗2、倉岡 義孝2、吉野 隆史2 (1.名城大理工、2.日本ガイシ(株))
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[18a-C42-8]Ga0.87In0.13Nトンネル接合を有する紫色LEDの電気的特性

〇宇田 陽1、長田 和樹1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、田中 崇之1 (1.名城大理工)
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[18a-C42-9]下部GaNトンネル接合を有するnpn構造の電気的特性

〇長田 和樹1、宇田 陽1、小林 憲汰1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大 理工)
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[18a-C42-10]InGaN系赤色LEDの特性における下地超格子層の効果

〇奥野 浩司1、五所野尾 浩一1、大矢 昌輝1 (1.豊田合成㈱)
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[18a-C42-11]PSD法を用いて赤色LED構造をGB-LED下地層上に成長した
GaInN系RGBモノリシックμLEDアレイの作製

〇清水 優輝1、長谷川 直希1、井村 慧悟1、末広 好伸1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、上野 耕平2、藤岡 洋2 (1.名城大学・理工、2.東京大学生産技術研究所)
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[18a-C42-12]実装化に向けたステップレス構造GaInN系モノリシックμLEDアレイの作製

〇長谷川 直希1、清水 優輝1、末広 好伸1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1 (1.名城大理工)
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[18a-C42-13]マイクロLEDと神経電極のハイブリッド集積デバイスの開発

〇篠原 豪太1、奥井 歩夢1、西川 敦2、Loesing Alexander2、鹿山 将3、久我 奈穂子3、佐々木 拓哉3、関口 寛人1 (1.豊技大、2.ALLOS、3.東北大)
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