[18a-C42-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[18a-C42-7] GaInN量子井戸のPL強度におけるAlInN下地層とGaInN量子井戸との距離依存性

〇西川 大智¹、荒川 将輝¹、柳川 光樹¹、柴原 直暉¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、野中 健太朗²、倉岡 義孝²、吉野 隆史² (1.名城大理工、2.日本ガイシ(株))

キーワード：

AlInN、下地層、水素クリーニング

高品質GaInN量子井戸に向けて、水素クリーニングを用いたAlInN下地層の使用により、GaInN下地層よりもLED構造において高い光出力(1.2倍)となることを報告した。一方、AlInN下地層をVCSELに適用する際、AlInNはGaNとの屈折率差が大きく、共振器内のAlInN下地層位置により定在波分布が影響を受けるため、その位置設計が必要となる。意図的に活性層から離れた位置に配置する可能性も考えられる一方、活性層から位置が離れることで十分な品質改善が得られない可能性もあり、本研究では、LEDの光出力におけるGaInN活性層とAlInN下地層間の距離依存性を検討した。