[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-1] 量子補正モンテカルロシミュレーションによるダブルドープ構造GaInSb HEMT特性解析

〇上田 晟生¹、戸邉 康太¹、児玉 直也¹、塩澤 祐介¹、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

高電子移動度トランジスタ、モンテカルロシミュレーション、GaInSb