[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-10] SiO₂/GaN 界面酸化ガリウム層の熱処理による構造変化

〇厚見 遼也¹、上沼 睦典²、富田 広人¹、山田 翔梧¹、山田 侑矢¹、吉田 桃子¹、孫 澤旭¹、橋本 由介¹、松下 智裕¹、藤井 茉美³、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.産総研、3.近畿大)

キーワード：

窒化物半導体、界面酸化層、光電子ホログラフィ