[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-11] 基底状態原子支援化学気相堆積法によるシリコン系絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MOS構造の検討

〇赤松 龍弥¹、鹿田 颯吾¹、古川 雅一²、若原 昭浩¹、岡田 浩¹ (1.豊橋技科大、2.アリエースリサーチ有限会社)

キーワード：

窒化ガリウム、シリコン系絶縁膜、MOS キャパシタ