[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-13] ミストCVD法によるGaN MISデバイス向け混晶ゲート絶縁膜の作製

〇大竹 浩史¹、中村 有水¹、谷田部 然治¹ (1.熊本大)

キーワード：

ミストCVD、GaN、AlTiO

本研究ではミストCVD法でAl_1−xTi_xO_y混晶ゲート絶縁膜を作製し、その特性を評価した。Al_1−xTi_xO_y薄膜は広い禁制帯幅と高い比誘電率を持つことからGaN系MISデバイスのゲート絶縁膜として注目されている。堆積温度を250-450 ℃に変化させた結果、堆積温度上昇に伴い禁制帯幅が広がった。XRF測定から組成比が堆積温度により変化する可能性が示唆された。組成比が堆積温度により変化する要因はAl₂O₃とTiO₂の堆積速度に温度依存性があるためだと考えられる。