[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-15] β-Ga₂O₃単結晶基板に存在する欠陥準位の高温度アニール挙動の評価

〇中野 由崇¹、上田 悠貴²、佐々木 公平²、倉又 朗人² (1.中部大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

酸化ガリウム、欠陥準位、高温度アニール

Edge-defined film-fed growth法で作製したβ-Ga₂O₃ 単結晶基板に存在する欠陥準位の高温度アニール挙動を静電容量-電圧測定, 光容量分光測定を用いて評価した。N₂中1450℃でアニールした場合、N₂中で昇温するとas-grown状態の欠陥準位を保ったまま濃度減少するが、O₂中で昇温すると欠陥準位分布が大きく異なることが分かった。