[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-16] n 型SiC エピタキシャル層上へイオン注入で作製したJFET の600℃動作

〇金子 光顕¹、柴田 峻弥¹、松岡 大雅¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：

炭化ケイ素、接合型トランジスタ、高温

SiC JFET は高温動作IC への応用が期待されるデバイスの1 つである。
我々は、消費電力低減のため、p-、n-JFET を組み合わせた相補型JFET に着目しており、半絶縁性基板へのイオン注入により全てのp、n 型領域を形成することで、p-、n-JFET の同一基板上への作製に成功した。
しかし、温度上昇に伴う半絶縁性基板の抵抗率の低下（リーク電流の増大）により、動作温度は400℃に制限されていた。
本研究では、さらなる高温動作に向け、リーク電流の抑制を目的として、ソース・ドレイン間の電気的絶縁性を向上させたダブルウェル構造を有するJFET をn 型エピ層上に作製し、600℃での高温動作を実証したので報告する。