[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-18] p チャネル 4H-SiC MOSFET の界面欠陥の電流検出 ESR 分光

〇島袋 聞多¹、堀内 颯介¹、曽 弘字¹、染谷 満²、平井 悠久²、渡部 平司³、西谷 侑将⁴、松下 雄一郎⁴、梅田 享英¹ (1.筑波大、2.産総研、3.阪大、4.Quemix（株）)

キーワード：

半導体、4H-SiC MOSFETs、界面欠陥

4H-SiC MOSFETの性能を大きく低下させるMOS界面欠陥の正体は一部しか明らかになっていない。その一つである「P_bCセンター」はnチャネル4H-SiC MOSFETに対するEDMRによって検出された。今回、pチャネル4H-SiC MOSFETに対するEDMRによって複数の信号が検出された。これら信号は過去に報告されておらず、今だ明らかにされていない4H-SiCのMOS界面欠陥であると考えられる。この講演ではこれら信号の起源について議論する。