[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-3] GaN系npn型HBTのベース層適用に向けたp型MQW構造の検討

〇井上 諒星¹、小嶋 智輝¹、間瀬 晃¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大)

キーワード：

GaN、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、多重量子井戸

ワイドギャップ半導体GaNを用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタは、Mgなどアクセプタの活性化エネルギーが大きいため、低抵抗のp型層が得られにくいという課題がある。本研究では、npn型GaN-HBTを想定したうえで、p型ベース層の横方向抵抗を低減する方法として、GaInN/GaNからなる多重量子井戸（MQW）構造の適用可能性について検討開始したので報告する。