[18a-P06-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-P06-4] Face-to-Face高温高圧アニールによる均一性の向上
～Au/Ni/n-GaNショットキー接触を用いた界面顕微光応答法による二次元評価～

〇今林 弘毅¹、松本 泰歩¹、塩島 謙次¹、加地 徹² (1.福井大院工、2.名大未来研)

キーワード：

GaN、高温高圧アニール（UHPA）、界面顕微光応答法（SIPM）

Face-to-Face（F-to-F）法を用いた高温高圧アニール(UHPA)を行ったGaN試料に対し、Au/Ni/n-GaNショットキー接触を形成し、界面顕微光応答法により評価を行った。GaN粉末中に埋めてUHPAを行った試料に比べ、大きな光電流信号と面内で均一なSIPM像が得られた。我々は、F-to-F法を用いることでGaN表面の均一性が向上していることを示した。