セッション詳細

[18a-P07-1~12]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年9月18日(水) 9:30 〜 11:30
P07 (展示ホールA)

[18a-P07-1]QF-HVPEによる4インチGaN on GaNエピウェハ

〇金木 奨太1、今野 泰一郎1、森 久1、藤倉 序章1 (1.住友化学)
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[18a-P07-2]減圧CVD成長六方晶窒化ホウ素薄膜に対するアニール効果の雰囲気依存性

〇竹村 晃1、大石 泰己1、青池 琉希1、太田 颯真1、高橋 悠真1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大院、2.大学院光医工学研、3.静岡大電研)
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[18a-P07-3]減圧CVD成長BN薄膜の多形評価

〇太田 颯真1、青池 琉希1、高橋 悠真1、竹村 晃1、小南 裕子1、原 和彦2,3 (1.静岡大総合研、2.静岡大光医工研、3.静岡大電子研)
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[18a-P07-4]BCl3を原料に用いる減圧CVDにより成長した六方晶窒化ホウ素薄膜への炭素混入と膜特性への影響

〇青池 琉希1、大石 泰己1、太田 颯真1、竹村 晃1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大総合研、2.静岡大光医工研、3.静岡大電子研)
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[18a-P07-5]ナノコラム結晶成長におけるGaInN/GaInN MQWへのAlN 中間層の挿入効果

〇梅本 匠1、進藤 隆太1、赤川 広海1、山口 智広1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、富樫 理恵2,3、岸野 克巳2,3 (1.工学院大、2.上智大、3.上智大ナノテク)
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[18a-P07-6]半極性GaInN活性層を有するナノコラムの発光バラつき改善

〇赤塚 泰斗1、石沢 峻介1、掛村 康人1、両角 浩一1、宮澤 弘1、赤坂 康一郎1、富樫 理恵2、岸野 克巳2 (1.セイコーエプソン(株)、2.上智大ナノテク)
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[18a-P07-7]THz波を用いたScAlMgO4基板上GaN薄膜の屈折率異方性の評価

〇土田 海渡1、藤井 高志1,2、岩本 敏志2、出浦 桃子1、荒木 努1 (1.立命館大、2.日邦プレシジョン)
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[18a-P07-8]内部量子効率の異なるAlGaN量子井戸構造におけるキャリア実効拡散長の照射電流依存性

〇山口 竜平1、倉井 聡1、岡田 成仁1、赤池 良太2、三宅 秀人2、山田 陽一1 (1.山口大院創成科学、2.三重大院工)
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[18a-P07-9]電気化学的通電によるAlGaN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性の変化

〇森田 廉1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
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[18a-P07-10]電子空乏に近いAlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック電極形成

〇白須 翔1、森田 廉1、藤岡 洋2、前田 就彦1 (1.東京工科大工、2.東大生研)
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[18a-P07-11]プラズマLPE法によるGaN層の成長(Ⅰ)

〇三根 秀斗1、中川 治紀1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
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[18a-P07-12]プラズマLPE法によるGaN層の成長(Ⅱ)

〇中川 治紀1、三根 秀斗1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)
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