セッション詳細

[18p-A22-1~21]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2024年9月18日(水) 13:45 〜 19:30
A22 (朱鷺メッセ2F)
佐々木 公平(ノベルクリスタルテクノロジー)、 大島 祐一(物材機構)

[18p-A22-1]ミストCVD法で作製した高移動度Geドープα-Ga2O3薄膜の電気特性

〇若松 岳1、泉 宏和2、磯部 優貴1、高根 倫史1、金子 健太郎1,3、田中 勝久1 (1.京大院工、2.兵庫県立工業技術センター、3.立命館大総研)
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[18p-A22-2]ミストCVDによるrh-ITO上への(Ga, Fe)2O3の形成と光学的評価

〇近藤 良1、島添 和樹1、西中 浩之1 (1.京工繊大電)
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[18p-A22-3]窒素ラジカル照射処理したGa2O3 (010) 基板上にMBE成長したGa2O3薄膜

〇中岡 蔵1、谷口 奨季1、上原 知起1、稲嶌 仁1、本田 智子1、東脇 正高1,2 (1.大阪公大院工、2.情通機構)
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[18p-A22-4]MOVPE法によるSiドープβ-Ga2O3(010)ホモエピタキシャル成長

〇(M1)窪田 翔海1、吉永 純也1,2、奥山 貴仁1、寺内 悠真1、佐々木 捷悟3、池永 和正2、椎名 一成4、小関 修一2、伴 雄三郎4、熊谷 義直1,3 (1.東京農工大院工、2.大陽日酸株式会社、3.東京農工大FLOuRISH、4.大陽日酸ATI株式会社)
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[18p-A22-5]トリメチルガリウム系MOVPEによるβ-Ga2O3成長メカニズムの調査

〇(M1)寺内 悠真1、奥山 貴仁1、窪田 翔海1、吉永 純也1,2、佐々木 捷悟3、石川 真人4、熊谷 義直1,3 (1.東京農工大院工、2.大陽日酸株式会社、3.東京農工大FLOuRISH、4.気相成長株式会社)
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[18p-A22-6]ミストCVDによるSiドープβ-(AlxGa1-x)2O3薄膜のエピタキシャル成長

〇保坂 祥馬1、三宅 裕樹1,2、西中 浩之1 (1.京工繊大、2.ミライズ)
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[18p-A22-7]ミストCVD法による(-201)β-Ga2O3上のNiO薄膜成長及び評価

〇安井 弦1、三宅 裕樹1,2、西中 浩之1 (1.京工繊大、2.ミライズ)
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[18p-A22-8]ミストCVD法による岩塩構造MgZnO/MgOダブルヘテロ及び超格子構造の製作検討

〇小川 広太郎1、愛智 宏行1、三富 俊希1、田中 恭輔1、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大)
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[18p-A22-9]ミストCVD法による岩塩構造MgZnO/MgO量子井戸の井戸層組成依存性

〇愛智 宏行1、小川 広太郎1、三富 俊希1、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大)
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[18p-A22-10]MgO 基板と格子整合したエピタキシャル MgO-NiO-ZnO 膜の作製

〇飯田 真太郎1、池之上 卓己1、三宅 正男1 (1.京大院エネ科)
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[18p-A22-11]SiO2保護膜によるβ-Ga2O3 SBDのリーク電流への影響

〇酒井 隆司1、南條 拓真1、湯田 洋平1、林田 哲郎1、野口 宗隆1、海老原 洪平1、田中 梨菜1、古橋 壮之1、綿引 達郎1 (1.三菱電機)
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[18p-A22-12](001)面方位HVPEエピ厚膜β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードのキラー欠陥の断面SEM観察

〇(M2)大坪 優斗1、佐々木 公平2、林 家弘2、有馬 潤3、藤田 実3、川崎 克己3、大石 敏之1、嘉数 誠1 (1.佐賀大院理工、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー、3.TDK(株))
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[18p-A22-13]ミスト化学気相堆積法で作製したNbドープTiO2薄膜の膜構造と溶媒の関係

〇内藤 蓮人1、吉田 真子1、小野田 滉1、有賀 恵美1、中村 彩夏1、簾 智仁2、中山 亮2、清水 亮太2、金子 健太郎3、佐藤 泰史4、一杉 太郎2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.東大院理、3.立命館大学、4.岡山理大学理)
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[18p-A22-14]導電性NbドープTiO2薄膜のミスト化学堆積法におけるNb源の検討

〇中村 彩夏1、有賀 恵美1、内藤 蓮人1、簾 智仁2、中山 亮2、清水 亮太2、金子 健太郎3、一杉 太郎2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.東大院理、3.立命館大)
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[18p-A22-15]Sb 添加したr-GeO2薄膜のr-TiO2基板上での結晶成長

〇矢倉 藤也1,2、清水 悠吏1,2、衣斐 豊祐1、高橋 勲1、金子 健太郎1,3 (1.Patentix株式会社、2.立命館大学理工、3.立命館大学半導体応用センター)
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[18p-A22-16]n型伝導ルチル構造二酸化ゲルマニウム薄膜の作製

〇清水 悠吏1,2、矢倉 藤也1,2、衣斐 豊祐1、髙橋 勲1、金子 健太郎1,3 (1.Patentix株式会社、2.立命館大理工、3.立命館大学半導体応用研究センター)
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[18p-A22-17]p-チャネルトランジスタに向けた非晶質Ga-O-S薄膜の作製

〇(M2)船田 貴光1、是石 和樹1、相馬 拓人1、吉松 公平1、大友 明1 (1.東工大物質理工)
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[18p-A22-18]In(OH)3をPLDターゲットとしたIn2O3薄膜トランジスタの作製

〇(M1C)定平 光1、プラシャント ゲディア2、太田 裕道2、曲 勇作2 (1.北大院情報、2.北大電子研)
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[18p-A22-19]Impact of in-situ AlOx passivation on 2-nm-thick InOx for performance and stability improvement

〇CHIATSONG CHEN1, Yuki Yoshimoto2, Wen-Hsin Chang1, Toshifumi Irisawa1, Maeda Tatsurou1 (1.AIST, 2.KOKUSAI ELECTRIC)
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[18p-A22-20]マイクロ波リモートプラズマ源を用いた原子層堆積法によるIn2O3薄膜の成膜

〇川戸 勇人1、髙橋 崇典1、玉井 駿宏2、味上 俊一2、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.堀場エステック)
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[18p-A22-21]半導体積層作製技術を応用した高効率な水分子加熱

〇(M2)大塚 知紀1、松田 竜一2、渡辺 俊哉2、太田 早紀2、金子 健太郎3 (1.立命館大理工、2.三菱重工業(株)、3.立命館大半導体応用研究センター)
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