[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[18p-A22-11] SiO₂保護膜によるβ-Ga₂O₃ SBDのリーク電流への影響

〇酒井 隆司¹、南條 拓真¹、湯田 洋平¹、林田 哲郎¹、野口 宗隆¹、海老原 洪平¹、田中 梨菜¹、古橋 壮之¹、綿引 達郎¹ (1.三菱電機)

キーワード：

酸化ガリウム、半導体

SiO₂膜は、堆積手法や堆積温度によってはβ-Ga₂O₃ SBDのリーク電流の増加や耐圧の劣化といった悪影響を及ぼす場合もあり、その対策およびメカニズムの解明が必要とされている。今回、シランとTEOSを用いた2種類のプラズマCVD法にて堆積したSiO₂膜を保護膜として適用したβ-Ga₂O₃-SBDを作製し、その特性の違いを検証した。