[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

17:45 〜 18:00

[18p-A22-15] Sb 添加したr-GeO₂薄膜のr-TiO₂基板上での結晶成長

〇矢倉 藤也^1,2、清水 悠吏^1,2、衣斐 豊祐¹、高橋 勲¹、金子 健太郎^1,3 (1.Patentix株式会社、2.立命館大学理工、3.立命館大学半導体応用センター)

キーワード：

半導体