[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

18:00 〜 18:15奨励賞エントリー

[18p-A22-16] n型伝導ルチル構造二酸化ゲルマニウム薄膜の作製

〇清水 悠吏^1,2、矢倉 藤也^1,2、衣斐 豊祐¹、髙橋 勲¹、金子 健太郎^1,3 (1.Patentix株式会社、2.立命館大理工、3.立命館大学半導体応用研究センター)

キーワード：

二酸化ゲルマニウム、超ワイドバンドギャップ、パワーデバイス