[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[18p-A22-2] ミストCVDによるrh-ITO上への(Ga, Fe)₂O₃の形成と光学的評価

〇近藤 良¹、島添 和樹¹、西中 浩之¹ (1.京工繊大電)

キーワード：

酸化ガリウム、フォトディテクタ、混晶

酸化ガリウムの結晶多形の中でも5.2eVと最もバンドギャップが大きいGa­₂O₃と、2.2eVのバンドギャップを持つα-Fe₂O₃との混晶をミストCVDにより成長させることでバンドギャップエンジニアリングが可能である。混晶薄膜を同じコランダム構造をもつ導電性薄膜であるrh-ITO上に成長させ、垂直構造のフォトディテクタへ応用を実証した。