[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

19:00 〜 19:15奨励賞エントリー

[18p-A22-20] マイクロ波リモートプラズマ源を用いた原子層堆積法によるIn₂O₃薄膜の成膜

〇川戸 勇人¹、髙橋 崇典¹、玉井 駿宏²、味上 俊一²、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.堀場エステック)

キーワード：

原子層堆積法、プラズマ支援原子層堆積法、酸化物半導体