[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[18p-A22-3] 窒素ラジカル照射処理したGa₂O₃ (010) 基板上にMBE成長したGa₂O₃薄膜

〇中岡 蔵¹、谷口 奨季¹、上原 知起¹、稲嶌 仁¹、本田 智子¹、東脇 正高^1,2 (1.大阪公大院工、2.情通機構)

キーワード：

酸化ガリウム、ドーピング、窒素

以前我々は、窒素 (N) ラジカル照射によるGa₂O₃基板へのNドーピングを試みた。結果、N原子の分布は表面近傍の非常に浅い領域に留まっており、Nドーピング手法として有効では無かった。本研究では、Nラジカル照射したGa₂O₃ (010)基板上にGa₂O₃薄膜の分子線エピタキシー (MBE) 成長を行うことでNドーピングが可能であることを発見した。二次イオン質量分析 (SIMS) 結果から、高濃度N原子 (N > 3 × 10¹⁹ cm^-3) がMBE成長したGa₂O₃薄膜中に均一にドーピングされていることを確認した。