[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[18p-A22-4] MOVPE法によるSiドープβ-Ga₂O₃(010)ホモエピタキシャル成長

〇(M1)窪田 翔海¹、吉永 純也^1,2、奥山 貴仁¹、寺内 悠真¹、佐々木 捷悟³、池永 和正²、椎名 一成⁴、小関 修一²、伴 雄三郎⁴、熊谷 義直^1,3 (1.東京農工大院工、2.大陽日酸株式会社、3.東京農工大FLOuRISH、4.大陽日酸ATI株式会社)

キーワード：

酸化ガリウム、有機金属気相成長、Siドープ

本講演では、MOVPE法によるβ-Ga₂O₃(010)ホモエピタキシャル成長にてSiドープによるn型導電性制御を試みたので報告する。結果としてSi濃度を10¹⁵~10¹⁹ cm^-3の範囲で線形的に制御することができた。また、 Si濃度に概ね等しいキャリア密度が得られることから、Siが浅いドナーとして機能していることが確認された。