[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[18p-A22-6] ミストCVDによるSiドープβ-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜のエピタキシャル成長

〇保坂 祥馬¹、三宅 裕樹^1,2、西中 浩之¹ (1.京工繊大、2.ミライズ)

キーワード：

酸化ガリウム、ミストCVD

高い絶縁破壊電圧を持つワイドバンドギャップ半導体として注目されているβ-Ga₂O₃との界面に良質な2DEG層を形成するβ-(Al_xGa_1-x)₂O₃(β-AlGaO)はβ-Ga₂O₃のデバイス化にとって重要な材料である。本研究では、このβ-AlGaOに対してミストCVDによるSiドープを行った。ミストCVDによってフリンジを伴う良質な結晶性とコヒーレント成長を示しながらも低い抵抗値を持つβ-AlGaO薄膜の成長に成功した。