[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[18p-A22-7] ミストCVD法による（-201）β-Ga₂O₃上のNiO薄膜成長及び評価

〇安井 弦¹、三宅 裕樹^1,2、西中 浩之¹ (1.京工繊大、2.ミライズ)

キーワード：

パワーデバイス、酸化ニッケル、ミストCVD

優れた特性を持ち、バルク単結晶が生成可能なことからパワーデバイスへの応用が期待される酸化ガリウムは、実用化する上でp型導電制御が困難であるという大きな課題がある。本研究では、同じ酸化物半導体でp型を示す酸化ニッケルをミストCVD法で成膜することによりこの課題にアプローチした。成膜した薄膜は優れた結晶性と表面平坦性を示し、今後の酸化ガリウムのデバイス化への可能性を示した。