[18p-A22-1~21] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[18p-A22-8] ミストCVD法による岩塩構造MgZnO/MgOダブルヘテロ及び超格子構造の製作検討

〇小川 広太郎¹、愛智 宏行¹、三富 俊希¹、田中 恭輔¹、山口 智広¹、本田 徹¹、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大)

キーワード：

酸化マグネシウム亜鉛、ミスト化学気相成長、超ワイドギャップ半導体

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛(RS-Mg_xZn_1-xO)は、バンドギャップ7.7 eVのMgOを起点としたバンドギャップ変調が可能であることから、深紫外線及び真空紫外線領域における発光材料として期待される。本発表では、RS-MgZnOを応用したELデバイス開発への展開を見据え、原料を交互に供給するミストCVDシステムを構築し、RS-Mg_xZn_1-xO/MgOダブルヘテロ及び超格子構造を製作した内容について報告する。