[18p-A23-1~17] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の基礎と最新技術動向

13:30 〜 14:00

[18p-A23-1] 高反応性原料を用いたALDプロセスの検討

〇清水 秀治¹ (1.大陽日酸)

キーワード：

原子層、反応剤、製膜

半導体デバイスの3次元化や高集積化、新たな材料の利用において、原子層堆積法(ALD)が欠かせない。経済的な条件を満たしつつ複雑な形状へコンフォーマルに製膜する為、様々なプリカーサが開発されてきた。近年、更なる集積化に向けた低温製膜の要求があり、我々は熱ALD用に過酸化水素やヒドラジンを検討してきた。本発表では、他グループの反応剤の例も交えながら、活性種を用いたALDプロセスについて議論する。