[18p-A23-1~17] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の基礎と最新技術動向

17:30 〜 17:45

[18p-A23-12] GaCp*を用いた多結晶GaN薄膜の原子層堆積

〇水谷 文一¹、高橋 伸尚¹ (1.高純度化学研)

キーワード：

原子層堆積、ガリウムプリカーサー、多結晶GaN薄膜

GaCp*を原料とし、反応剤として、配位子を脱離させるためのNH₃とH₂の混合ガスプラズマと窒化のためのN₂プラズマを用いたABC型のALD方法で、Ga₂O₃膜上にGaN薄膜を堆積した。この方法により、比較的低温の成長温度200℃のALDでも、アニールなどの高温熱処理を加えることなく、高純度の多結晶のGaN膜が堆積できた。