[18p-A23-1~17] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の基礎と最新技術動向

14:00 〜 14:15

[18p-A23-2] 汎用機械学習力場によるALD precursorの反応解析と分子設計

〇浅野 裕介¹ (1.プリファードコンピューテーショナルケミストリー)

キーワード：

ALD、反応経路解析、分子設計

ALD（Atomic Layer Deposition: 原子層堆積法）は、半導体デバイス製造において金属薄膜を形成する為のプロセスで広く用いられている。今回は、汎用機械学習力場（PreFerred Potential）を使ってALD precursorの表面化学反応メカニズム解析を行い、そこで得られた知見から、より効果的なALD precursorの分子設計方法について提案する.