[18p-A23-1~17] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の基礎と最新技術動向

16:15 〜 16:30

[18p-A23-8] ヘキサフルオロアセチルアセトンと酸素プラズマの交互サイクルを用いた銅の原子層エッチング

〇中谷 侑亮¹、Andrew Kaye²、園田 靖¹、田中 基裕¹、前田 賢治¹、Sumit Agarwal² (1.日立ハイテク、2.Colorado School of Mines)

キーワード：

原子層エッチング、銅、ヘキサフルオロアセチルアセトン

原子層エッチング(ALE)は、CuやCoのような配線金属を含む半導体デバイス製造において重要な技術である。これまでに、ヘキサフルオロアセチルアセトン（hfacH）とO₂またはO₃を275 ℃でサイクルするCuの熱ALEが報告されている。hfacHはCuを自発的にエッチングすることができず、Cu表面の過酸化が必要であることも示されている。本発表では、hfacHとO₂/Arプラズマのサイクルを用いた、150 ℃というさらなる低温でのCuのALEについて報告する。