[18p-A31-1~19] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[18p-A31-10] 紫外光照射時のGaN表面エッチング反応機構

〇(M2)高橋 遼人¹、酒井 流星¹、石川 健治²、関根 誠²、堤 隆嘉²、堀 勝² (1.名大工、2.名大低温プラズマ)

キーワード：

エッチング、窒化ガリウム、プラズマ

窒化ガリウム(GaN)は、次世代パワーデバイス材料として注目されており、デバイス作成のために高精度なエッチング技術が必要とされている。そこで、光エッチングの実現が期待されており、光プロセスの確立のため脱離過程ならびに脱離生成物を解明することが必要である。本研究では、脱離過程における電子的かつ熱的な効果を考慮し、過程における脱離反応や脱離生成物を明らかにした。