[18p-A31-1~19] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[18p-A31-11] CF₃⁺イオン照射によるタングステン系マスクのエッチングイールド評価

〇KANG HO JUN¹、川畑 竣大¹、Mauchamp Nicolas A.¹、伊藤 智子¹、Tinacba Erin Joy Capdos¹、Kang Song-Yun²、Son Jiwon²、Lee Dongkyu²、唐橋 一浩¹、浜口 智志¹ (1.阪大院工、2.Samsung Electronics)

キーワード：

エッチング、タングステン、フルオロカーボン

半導体製造において高アスペクト比エッチングが重要であり、高エネルギーイオン照射に耐えるマスク材料が必要である。本研究では、タングステン系ハードマスクのCF₃⁺イオンエッチング特性を調査した。質量分離イオンビーム装置を使用し、W、WSiにイオンを照射し、エッチングイールドを測定した。低エネルギーではCF₃⁺イオンが炭素によりエッチングを抑制し、高エネルギーではフッ素による化学エッチングで促進されることが示された。