セッション詳細
[18p-B1-1~20]13.9 化合物太陽電池
2024年9月18日(水) 13:00 〜 18:45
B1 (展示ホールB)
渡辺 健太郎(東大)、 岡本 保(木更津高専)
[18p-B1-5]CIS系太陽電池におけるMo裏面電極の表面電子構造
〇大場 幹也1、上川 由紀子2、永井 武彦2、石塚 尚吾2、西永 慈郎2、反保 衆志2、青野 祐美1、奥田 哲治1、寺田 教男1,2 (1.鹿児島大、2.産総研)
[18p-B1-7]Intraband Transitions Induced by Below-Bandgap Photoexcitation at CsPbBr3/GaAs Heterointerface
〇(DC)Hambalee Mahamu1, Shigeo Asahi1, Takashi Kita1 (1.Kobe Univ.)
[18p-B1-8]2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池におけるバンド内赤外光学遷移の量子ドットによる増強特性
〇(M2)山本 祥1、永井 大地1、朝日 重雄1、喜多 隆1 (1.神戸大院工)
[18p-B1-11]光無線給電用InGaN太陽電池の光学損失の検討
〇鈴木 淳一1、髙橋 龍成1、金子 優翔1、青山 怜央1、古賀 誠啓1、渋井 駿昌1、野口 尊央1、林 駿希1、藤澤 孝博2、伊井 詩織3、渡邊 琉加3、深町 俊彦4、難波江 宏一4、三好 実人2、竹内 哲也3、上山 智3、内田 史朗1 (1.千葉工業大学、2.名古屋工業大学、3.名城大学、4.ウシオ電機)
[18p-B1-12]DBR構造を持つ光無線給電用InGaP太陽電池の温度特性
〇高橋 龍成1、鈴木 淳一1、川村 駿介1、赤羽 浩一2、内田 史朗1 (1.千葉工大、2.情報通信研究機構)
[18p-B1-13]光ファイバー給電用3接合型 I nGaAs 太陽電池の温度依存性
〇青山 怜央1、鈴木 淳一1、千葉 萌翔1、渋井 駿昌1、渡邉 康祐1、割ヶ谷 凌太1、赤羽 浩一2、内田 史朗1 (1.千葉工業大学、2.情報通信研究機構)
[18p-B1-14]InGaAs熱光起電力発電セルへ向けたパターン化誘電体裏面電極の作製
〇伊達 仁基1,2、大島 隆治2、庄司 靖2、斎 均2、清水 信3、菅谷 武芳2、八木 修平1、矢口 裕之1 (1.埼玉大院理工、2.産総研、3.東北大院工)
[18p-B1-16]常温接合による異種半導体基板接合の低抵抗化
〇藤井 駿太朗1、青山 怜央1、西舘 優太1、千葉 萌翔1、藤原 柊人1、斎藤 圭胡1、菊地 隆雅1、渡邉 康祐1、赤羽 浩一2、内田 史朗1 (1.千葉工大、2.情報通信研究機構)
[18p-B1-17]Electrical properties of wafer-bonded interfaces applicable for multijunction p-on-n solar cells
〇Hassanet Sodabanlu1, Depu Ma2, Kentaroh Watanabe1, Yoshiaki Nakano2, Masakazu Sugiyama1,2 (1.RCAST, UTokyo, 2.School of Eng., UTokyo)
[18p-B1-18]電流不整合の改善によるInGaP/GaAs/InxGa1-xAs//InyGa1-yAs 4接合太陽電池の高効率化
〇(M2)島崎 嵩士1、渡辺 健太郎2、ソダーバンル ハッサネット2、中野 義昭1、杉山 正和1,2 (1.東大工、2.東大先端研)
[18p-B1-20]GON構造形成に向けたGeの異方性エッチングとアニール処理の検討
〇(M2)范 文博1、大島 隆治2、庄司 靖2、菅谷 武芳2、八木 修平1、矢口 裕之1 (1.埼玉大院理工、2.産総研)