[18p-B1-1~20] 13.9 化合物太陽電池

17:30 〜 17:45

[18p-B1-16] 常温接合による異種半導体基板接合の低抵抗化

〇藤井 駿太朗¹、青山 怜央¹、西舘 優太¹、千葉 萌翔¹、藤原 柊人¹、斎藤 圭胡¹、菊地 隆雅¹、渡邉 康祐¹、赤羽 浩一²、内田 史朗¹ (1.千葉工大、2.情報通信研究機構)

キーワード：

化合物太陽電池

本実験では、オーミック電極を備えた異種半導体基板を用いて、実用化に向けた目標値である、接合界面抵抗値ρ_c≤10^-2 Ωcm² を達成することを目的とし、高速原子ビーム照射の印加電圧をパラメータとして接合実験を行った。その結果、p-InGaAs // n-GaAs の J-V 特性はオーミックに近い接触となった。これは、印加電圧を低下させることで、表面の平坦性が改善されたためだと推定している。