[18p-B1-1~20] 13.9 化合物太陽電池

13:15 〜 13:30

[18p-B1-2] ミストCVD法を用いた(In,Ga)₂S₃薄膜の作製

〇荒木 耀平¹、船木 顕広¹、西村 昂人¹、山田 明¹ (1.東工大工)

キーワード：

ミストCVD、バッファ層、(In、Ga)2S3

Cu(In,Ga)Se₂太陽電池の高効率化において重要なn型CdSバッファ層の代替材料として、(In,Ga)₂S₃薄膜をミストCVD法により作製した。製膜は窒素で満たされ無酸素条件下のグローブボックス内で行われた。XRD測定および電子顕微鏡を用いた観察から、InとGaの組成比によって結晶構造が変化することを確認した。また、Gaが増加するとバンドギャップが広がることを確認した。当日は、(In,Ga)₂S₃薄膜のより詳細な電気的・光学的特性を含めて報告する予定である。