[18p-B1-1~20] 13.9 化合物太陽電池

14:00 〜 14:15

[18p-B1-5] CIS系太陽電池におけるMo裏面電極の表面電子構造

〇大場 幹也¹、上川 由紀子²、永井 武彦²、石塚 尚吾²、西永 慈郎²、反保 衆志²、青野 祐美¹、奥田 哲治¹、寺田 教男^1,2 (1.鹿児島大、2.産総研)

キーワード：

CIS太陽電池

CIGS電池中のMo電極表面のMo-Se化合物層がMoSe₂単結晶と異なる特異な電子構造の起源を明確化するため、スパッタMo膜をSe化した試料の表面組成と仕事関数をin-situXPSとUPSで評価した。結果、Se化表面はMo欠損組成を持ち、MoSe2単結晶と異なる高い仕事関数を示した。また、Se化温度の上昇に伴いMo欠損と仕事関数が増大し特異な電子構造の起源がMo欠損に起因することが示唆された。