2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)CS コードシェアセッション：【CS.7】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[18p-B3-1~12]CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

2024年9月18日(水) 13:00 〜 16:15
B3 (展示ホールB)
清水 荘雄(物材機構)、 女屋 崇(東大)
13:00 〜 13:15

[18p-B3-1]強誘電体ゲートFETを用いた物理リザバー計算における分極状態と学習性能の関係

〇請関 優1、山田 洋人1、藤村 紀文1、横松 得滋2、前中 一介2、Kasidit Toprasertpong3、高木 信一3、吉村 武1 (1.阪公大工、2.兵庫県大工、3.東大工)
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13:15 〜 13:30英語発表

[18p-B3-2]Imprint Behavior of Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Film: Impact of Wake-up

〇(D)Zhenhong Liu1, Zuocheng Cai1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1, Kasidit Toprasertpong1 (1.Univ. Tokyo)
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13:30 〜 13:45

[18p-B3-3]HZO強誘電体キャパシタにおけるwake-up特性の周波数・温度依存性と物理機構の考察

〇伊藤 広恭1、田原 建人1、川野 真琴1、竹中 充1、高木 信一1、トープラサートポン カシディット1 (1.東大院工)
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13:45 〜 14:00

[18p-B3-4]Hf0.5Zr0.5O2 MFMキャパシタに対する最初の電界印加時における欠陥生成と強誘電性の相関

〇森田 行則1、浅沼 周太郎1、太田 裕之1、右田 真司1 (1.産総研)
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14:00 〜 14:15

[18p-B3-5]強誘電性HfO2キャパシタにおける極薄膜下での強誘電性の消失

〇鳥海 明1、右田 真司2 (1.自由業、2.産総研)
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14:15 〜 14:30

[18p-B3-6]強誘電性HfO2の分極反転時間からみた分極反転機構の考察

〇鳥海 明1、右田 真司2 (1.自由業、2.産総研)
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14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[18p-B3-7]AlN微粒子を均一に添加した多層Hf0.5Zr0.5O2薄膜の強誘電体特性の評価

〇高野 貴裕1、山口 直1、大森 和幸1、村中 誠志1 (1.ルネサスエレクトロニクス株式会社)
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15:00 〜 15:15奨励賞エントリー英語発表

[18p-B3-8]Electro-optic properties of Hf0.5Zr0.5O2 thin films on (La, Sr)MnO3/SrTiO3(100)

〇(D)Afeefa Dastgir1, Yuan Xueyou1, Yufan Shen2, Daisuke Kan2, Yuichi Shimakawa2, Tomoaki Yamada1,3 (1.Nagoya Univ., 2.Kyoto Univ., 3.Tokyo Tech, MDX)
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15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[18p-B3-9]CeO2-HfO2-ZrO2薄膜の格子間隔と強誘電性の評価

〇下野園 航平1、前川 芳輝1、茶谷 那知1、岡本 一輝1、山岡 和希子2、川島 康2、井上 ゆか梨2、舟窪 浩1 (1.東工大、2.TDK株式会社)
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15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[18p-B3-10]フラッシュランプアニールによるAl:HfO2薄膜の結晶化

〇三船 智哉1、谷村 英昭1,2、植野 雄守2、藤沢 浩訓1、中嶋 誠二1、大坂 藍1、加藤 慎一2、三河 巧2 (1.兵庫県大工、2.SCREEN セミコンダクターソリューションズ)
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15:45 〜 16:00

[18p-B3-11]機械学習ポテンシャルを用いたHfO2結晶のモデリングの検討

〇(D)糸矢 祐喜1、小林 正治1,2 (1.東大生研、2.東大d.lab)
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16:00 〜 16:15

[18p-B3-12]アモルファスHfO2における酸素の拡散

〇(M2)本図 優奈1、仲村 龍介1、鈴木 健之2 (1.滋賀県大工、2.阪大産研)
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