[18p-B3-1~12] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

16:00 〜 16:15

[18p-B3-12] アモルファスHfO₂における酸素の拡散

〇(M2)本図 優奈¹、仲村 龍介¹、鈴木 健之² (1.滋賀県大工、2.阪大産研)

キーワード：

HfO2、アモルファス、拡散

高周波スパッタリング法により基板上に一様なアモルファスHfO₂（a-HfO₂）薄膜を作製し，二次イオン質量分析法（SIMS）により質量数18の安定同位体酸素の長距離拡散プロファイルを測定して，酸素の拡散係数を決定した．300 °C ~ 500 °Cにおけるa-HfO₂の酸素の拡散係数は，HfO₂の安定相のひとつである単斜晶よりも4 ~ 5 桁小さい値となった．