[18p-B3-1~12] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

13:30 〜 13:45

[18p-B3-3] HZO強誘電体キャパシタにおけるwake-up特性の周波数・温度依存性と物理機構の考察

〇伊藤 広恭¹、田原 建人¹、川野 真琴¹、竹中 充¹、高木 信一¹、トープラサートポン カシディット¹ (1.東大院工)

キーワード：

強誘電体、wake-up

HfO₂系強誘電体では、主に薄膜において強誘電性を発現させるために電界サイクリングが必要となるwake-up効果が課題となっている。本研究では、HZO強誘電キャパシタにおけるwake-up特性の周波数・温度依存性の測定結果から、強誘電膜内を移動するイオンがwake-upに関与していることが示唆された。また、イオンの挙動を考察し、wake-upのモデルを提案した。