[18p-B3-1~12] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[18p-B3-7] AlN微粒子を均一に添加した多層Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜の強誘電体特性の評価

〇高野 貴裕¹、山口 直¹、大森 和幸¹、村中 誠志¹ (1.ルネサスエレクトロニクス株式会社)

キーワード：

強誘電体、不揮発性メモリ、HfZrO

近年、HfO₂系の強誘電体薄膜は、CMOS製造プロセスとの親和性が高く、低電圧で動作可能な不揮発性メモリ素子材料として高い注目を集めている。先行研究において、Hf_0.5Zr_0.5O₂ (HZO)膜中へAlやSiの微量添加によりFeFETの信頼性や特性バラツキが改善することを報告している。今回、HZO膜中の添加量をより精密に制御できる窒化アルミニウム(AlN)微粒子を導入して6nmのHZO膜を試作し、AlNの添加量および添加回数に対する残留分極および書き換え耐性を調べた。