[18p-P03-1~11] 6.6 プローブ顕微鏡

[18p-P03-4] 水素終端Si(100)表面上のSiナノ領域の2探針STM測定

〇小野田 穣¹、Livadaru Lucian²、Wolkow Robert^2,3、Pitters Jason⁴ (1.福岡教育大、2.アルバータ大、3.Quantum Silicon Inc.、4.カナダ国立研究評議会)

キーワード：

走査トンネル顕微鏡、少数キャリア注入、シリコン

本研究では、水素終端Si(100)表面上にSiナノ領域を作製し、2探針STMによって測定した。片方の探針から少数キャリア(本実験ではホール)を注入し、もう片方の探針でSTM測定を行った結果、ホール注入の有無によってSTM高さ一定像が変化することが分かった。この原因として、片方の探針から注入されたホールがもう片方の探針側へドリフトまたは拡散し、バンドベンディングを抑制していることが考えられる。