[18p-P03-1~11] 6.6 プローブ顕微鏡

[18p-P03-5] 出力極性制御を適用したSNDMポテンショメトリによる半導体キャリア分布測定

〇宮戸 祐治¹、野崎 博樹²、間山 憲仁² (1.龍谷大 先端理工、2.東芝ナノアナリシス)

キーワード：

原子間力顕微鏡、半導体、走査非線形誘電率顕微鏡

本研究では、走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)による半導体キャリア分布測定における信頼性・定量性の向上のため、SNDMポテンショメトリに着目し、d²C/dV²信号によるバイアス電圧フィードバック制御を試みている。今回、p型とn型の違いでSNDMのdC/dV信号とd²C/dV²信号の両方の極性が変わることに注目し、制御の工夫によりp型とn型の両方の極性を測定できるようになったことについて報告する。