[18p-P09-1~54] 12.5 有機・ハイブリッド太陽電池

[18p-P09-25] インクジェット法によるCsFAペロブスカイト層の印刷特性向上に向けた酸化物半導体層の成膜条件の検討

〇吉田 宙生¹、戸邉 智之^1,4、舩山 遼斗³、柴山 直之²、池上 和志¹、宮坂 力² (1.桐蔭横浜大院工、2.桐蔭横浜大医用工、3.紀州技研工業、4.神奈川県産技総研)

キーワード：

ペロブスカイト材料、インクジェット法、酸化物半導体層

ペロブスカイト層の貧溶媒を用いないインクジェット印刷法は、基板の塗れ性にも大きく影響を受ける。酸化スズ(II)・２水和物から成膜するETLに着目したところ、前駆体溶液濃度は、変換効率に影響した。SnCl₂·2H₂Oのエタノール溶液をITOガラス上にスピンコート塗布し180℃で１時間、焼成してETL層を成膜した。その結果、SnCl₂·2H₂Oのエタノール溶液の濃度を0.2Mより希釈すると、開放電圧および変換効率が向上し、0.01Mの時、最大となった。