[18p-P11-1~3] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18p-P11-1] 多枚数近接昇華（MCSS）法による4H-SiC成長速度の温度依存

〇佐藤 瑞樹¹、菊地 潤¹、成田 克¹、長澤 弘幸²、千葉 哲也³ (1.山形大工、2.CUSIC、3.ドライケミカルズ)

キーワード：

4H-SiC、MCSS法、成長速度