セッション詳細
[18p-P11-1~3]15.6 IV族系化合物（SiC）
2024年9月18日(水) 16:00 〜 18:00
P11 (展示ホールA)
[18p-P11-1]多枚数近接昇華（MCSS）法による4H-SiC成長速度の温度依存
〇佐藤 瑞樹1、菊地 潤1、成田 克1、長澤 弘幸2、千葉 哲也3 (1.山形大工、2.CUSIC、3.ドライケミカルズ)
[18p-P11-2]多枚数近接昇華（MCSS）法でのSiC原料の昇華特性
〇菊地 潤1、佐藤 瑞樹1、成田 克1、長澤 弘幸2、千葉 哲也3 (1.山形大工、2.CUSIC、3.ドライケミカルズ)
[18p-P11-3]4H SiC MOSFETの単一光子源に対する光検出磁気共鳴(ODMR)の試み
〇(M2)堀内 颯介1、島袋 聞多1、春山 盛善2、牧野 俊晴2、加藤 宙光2、岡本 光央2、原田 信介2、梅田 享英1 (1.筑波大、2.産総研)