2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
詳細検索

講演情報

[18p-P11-2]多枚数近接昇華（MCSS）法でのSiC原料の昇華特性

〇菊地 潤1、佐藤 瑞樹1、成田 克1、長澤 弘幸2、千葉 哲也3 (1.山形大工、2.CUSIC、3.ドライケミカルズ)

キーワード：

4H-SiC、MCSS法、昇華特性

コメント

コメントの閲覧・投稿にはログインが必要です。ログイン

セッション詳細へ戻る