2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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[18p-P11-2]多枚数近接昇華（MCSS）法でのSiC原料の昇華特性

〇菊地 潤1、佐藤 瑞樹1、成田 克1、長澤 弘幸2、千葉 哲也3 (1.山形大工、2.CUSIC、3.ドライケミカルズ)
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キーワード：

4H-SiC、MCSS法、昇華特性

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