[19a-A23-1~5] 接合技術と先端シリコン集積回路の展開：過去、現在、未来

10:25 〜 11:10

[19a-A23-4] シリコン中に導入された高濃度ドーパントの活性化と不活性化

〇水島 一郎¹ (1.ニューフレアテクノロジー)

キーワード：

シリコン、ドーピング、活性化

シリコン単結晶中に高濃度にドーピングした時の活性化・不活性化の挙動は、ドーパント種による違いに加えて、ドーピングされる方法に大きく依存する。本報告では高濃度にヒ素、あるいはボロンをドーピングした場合について、活性化・不活性化の過程を調べた結果を紹介する。ドーパント種やドーピング手法によって異なる形態のクラスタが形成されることが、さまざまに異なる活性化・不活性化挙動の要因となっている。