[19a-A23-1~5] 接合技術と先端シリコン集積回路の展開：過去、現在、未来

11:10 〜 11:55

[19a-A23-5] イオン注入・プラズマドーピング技術の歴史とその現状・問題点

〇丹上 正安¹ (1.元日新イオン)

キーワード：

ドーピング、イオン注入

半導体IC技術を生産面で支えるイオン注入技術、プラズマドーピング技術はIC実用化に寄与してきた。しかし、線幅2nmにまで微細化されてきた現状では、これまでの路線は限界を迎えたとも言われている。そこで、これまでの歴史を総括し、問題点と将来方針について議論したい。