[19a-A31-1~11] 17.3 層状物質

11:30 〜 11:45

[19a-A31-10] MoS₂上へのAg(111)配向膜形成とグラフェンナノリボンの表面合成

〇鈴木 誠也¹、矢野 雅大¹ (1.原子力機構)

キーワード：

グラフェンナノリボン、ラマン散乱分光、ファンデルワールス・エピタキシー

リボン幅方向の量子効果によりバンドギャップが開くグラフェンナノリボン(GNR)は、グラフェンのギャップレス問題を解決する半導体材料である。表面重合で形成されるGNRは、前駆体分子の構造を反映してリボン幅やエッジ構造を原子レベルで制御できる。GNRの表面重合基板はAg(111)などの単結晶表面が理想的であるが、工業的には合成基板が高コストになる課題がある。本研究では、剥離転写した多層MoS₂上にAg薄膜を成膜してポストアニールすることで、Agが[111]方位に高配向し、GNRの合成基板として利用できることを見出したので報告する。