[19a-A31-1~11] 17.3 層状物質

11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[19a-A31-9] GaS/GaSeヘテロ構造ナノベルトの成長

〇遠藤 由大¹、関根 佳明¹、谷保 芳孝¹ (1.NTT物性研)

キーワード：

III-VI族半導体、有機金属気相成長法、ナノベルト

MOCVD法を用いて、Ga触媒に供給するSとSe原料の切り替えを行い、GaS/GaSeヘテロ構造のナノベルトを自己触媒VLS成長した。さらに、ラマン分光法を用いて、そのヘテロ界面の組成制御性を調べた。その結果、Se組成はSe原料供給量により制御可能である一方、S組成の制御にはS原料供給量に加えてGa触媒内にリザバー効果で残存するS含有量も考慮する必要があることが分かった。