[19a-B2-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

10:00 〜 10:15

[19a-B2-4] 希釈窒化物半導体ナノワイヤにおけるアニール処理条件が光学特性へ与える影響

〇橋本 英季^1,2、飯田 竜雅^1,2、後藤 拓翔^1,2、峰久 恵輔^1,2、中間 海音^1,2、石川 史太郎² (1.北大情科院、2.北大量集積セ)

キーワード：

分子線エピタキシー、半導体ナノワイヤ、アニール処理