セッション詳細

[19a-B5-1~9]15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶

2024年9月19日(木) 9:30 〜 11:45
B5 (展示ホールB)
澤野 憲太郎(都市大)

[19a-B5-1][第56回講演奨励賞受賞記念講演] 空間相関モデルを用いたSiGe内の原子配列に関する考察

〇横川 凌1,2、伊藤 佑太1、前田 唯葉1、荒井 康智3、米永 一郎4、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.JAXA、4.東北大)
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[19a-B5-2]PL分光法による無ひずみ単結晶バルクSi1-xGexのバンドギャップエネルギー評価

〇伊藤 佑太1、横川 凌1,2、箕輪 卓哉1、荒井 康智3、米永 一郎4、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.JAXA、4.東北大)
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[19a-B5-3]単結晶歪Si1-xSnxのバンド構造評価(Ⅱ)

〇石崎 寛規1、横川 凌1,2、箕輪 卓哉1、黒澤 昌志3、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.名大院工)
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[19a-B5-4]Si上Ge埋め込み成長におけるトレンチ側壁の傾斜効果

〇前田 匠海1、Piedra-Lorenzana Jose A.1、山根 啓輔1、飛沢 健1、中井 哲弥2、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大、2.SUMCO)
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[19a-B5-5]ナノチャネルスパッタエピタキシーによる歪み緩和GeSn薄膜成長

〇石丸 賢昇1、田中 信敬1、國吉 望月2、小林 拓真1、志村 考功1,3、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.アルバック協働研、3.早大IPS)
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[19a-B5-6]高Sn組成Ge1−xSnxエピタキシャル層の結晶性に堆積速度が及ぼす影響

〇中塚 理1,2、壁谷 汰知1、柴山 茂久1、坂下 満男1、黒澤 昌志1 (1.名大院工、2.名大未来研)
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[19a-B5-7]転写を用いたInP格子整合系GeSnOI MSMフォトディテクターの試作

〇前田 辰郎1、石井 裕之1、張 文馨1、高木 孝明2、柴山 茂久2、黒澤 昌志2、中塚 理2 (1.産総研、2.名大院工)
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[19a-B5-8]GeSiSn/GeSn二重障壁構造のエピタキシャル成長におけるH2導入効果

〇柴山 茂久1、石本 修斗1、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
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[19a-B5-9]高濃度n型ドーピングに向けたP/Ga共添加Ge結晶の成長

〇(M1C)石津 岳1、古藤 良翔1、母良田 友1、石川 靖彦1、山根 啓輔1 (1.豊橋技科大)
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