[19a-B5-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

10:45 〜 11:00

[19a-B5-6] 高Sn組成Ge_1−xSn_xエピタキシャル層の結晶性に堆積速度が及ぼす影響

〇中塚 理^1,2、壁谷 汰知¹、柴山 茂久¹、坂下 満男¹、黒澤 昌志¹ (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

半導体、GeSn混晶、スパッタリング

高Sn組成GeSnエピタキシャル層は、直接遷移化、バンドギャップ狭小化という特長を持ち、Si集積回路プロセスとの親和性にも優れることから、中・遠赤外センサ、赤外マイクロLEDなどの集積デバイス応用に期待されている。我々は、大格子定数InP基板上のGeSn薄膜結晶成長において、分子線エピタキシー法に比較して4倍程度高速堆積可能なスパッタリング法の活用により、Sn析出領域の拡大を抑制し、25%の高Sn組成GeSnエピタキシャル層をより広い範囲で形成できることを、以前、報告している。今回、スパッタリング法における堆積速度の変化がGeSnエピタキシャル層の結晶性や電子物性に及ぼす影響について、より詳細に調査した。